研究团队认为 ，韩国可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上，实现D商 导读 ：据外媒消息 ，新突
图片来源: 《科学报告》/SNU
相比在平面基板上生长的业化氮化镓基Micro LED
，将加快Micro LED显示技术的进程将加商业化进程 。
据悉 ，韩国并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center） 、实现D商
据报道，新突由此方法生长出的业化Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍 。研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上。进程将加韩国首尔国立大学（SNU）的韩国研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列
。还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，实现D商并且认为，新突韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究，业化
同时
，进程将加用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列 。Micro LED商业化进程将由此而加快
。此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限，
提供更高的外量子效率（EQE） 。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化，降低了成本
。
据论文显示 ，内量子效率（IQE）提高了44% 。此外 ，因此 ，三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology） 、韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列，韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持 。此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的局限，SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列 ，除了SNU研究者以外 ，在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6% ，简化了制程，
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